美国政府,资助发展3D GaN FinFET技术

半导体行业观察 · 半导体行业观察·2022-08-10 08:36

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来源:内容来自半导体行业观察(ID:icba nk)综合,谢 谢。

据报道,美国Finwave Semiconductor Inc在获得美国政府 430 万美元的奖励后,在 A 轮融资中筹集了 1220 万美元。这笔资金将用于将 GaN FinFET 技术投入量产。


资料显示,Finwave Semiconductor的A伦融资由 Fine Structure Ventures 牵头,Citta Capital、Soitec、Safar Partners 和 Alumni Ventures 也参与其中。联邦资金来自美国能源部高级研究计划署能源 (ARPA-E) SCALEUP(为具有未开发潜力的领先能源技术播种关键进展)则有赠款。


该公司表示,这笔资金将用于招聘员工、产品开发和实验室设施。


“Finwave 的技术开启了 5G 的承诺,”Fine Structure Ventures 的高级董事总经理 Jennifer Uhrig 说。“该公司将一流的功率放大效率与大批量制造相结合,以克服阻碍毫米波广泛采用的性能和成本限制,”她补充道。


Finwave 断言,5G 网络因缺乏高性能毫米波功率放大器技术而受到阻碍。


在毫米波频率下,GaN-on-Si 放大器的性能优于现有的替代品,例如 RFSOI MOSFET、GaAs pHEMT 或 SiGe 器件。该公司表示,Finwave 的 3D GaN 技术提高了 5G 毫米波系统的线性度、输出功率和效率,同时降低了运营商的成本。


此外,CMOS 晶圆厂中 200 毫米直径晶圆上的 GaN-on-Si 工艺可用于大规模生产 3DGaN 芯片。


“3DGaN FinFET 技术是 10 多年研发的成果,最初是在麻省理工学院开发的,并获得了令人垂涎的 2012 年 IEEE 电子器件协会乔治史密斯奖,”Finwave 的首席执行官兼联合创始人 Bin Lu 在一份声明中指出。


“在解决了众多制造挑战并使用标准 8 英寸硅 CMOS 工具成功创建了制造工艺后,Finwave 在 5G 的 3DGaN 技术商业化方面处于领先地位,”他补充道。


3D GaN FinFET 技术,瞄准 5G


麻省理工学院 (MIT) 的研究人员于 2012 年创立了Cambridge Electronics ,这就是现在的 Finwave Semiconductor Inc。该公司表示,他们希望通过具备 3D 鳍式晶体管 (GaN FinFET) 结构的3D GaN技术,彻底改变 5G 通信。


Finwave 表示,如果没有高功率、高线性度毫米波 (mmWave) 功率放大器技术,5G 网络的优势将永远无法完全实现。当前的方法正在限制 5G,因为它们无法提供解决毫米波频率所面临的上行链路问题所需的更高线性度和效率(其传播距离远不及微波信号)。


“今天的 5G 毫米波网络受到功率放大器低效性能的严重限制,”Mobile Experts 首席分析师 Joe Madden 评论道。“今天使用 RF-SOI 和 CMOS 技术代替 GaN,因为需要将逻辑电路与 RF 前端集成,但这带来了功耗和散热方面的重大权衡。高性能硅基 GaN 带来了新的选择,可以使 5G 毫米波更加实用。”


Finwave 表示,GaN 具有比硅高 10 倍的击穿电场、高电子迁移率和在更高结温下工作的能力,有望在未来十年的技术革命中发挥重要作用。该公司补充说,在毫米波频率下,GaN-on-Si 放大器优于硅 CMOS、砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 或硅锗 (SiGe) 器件等替代解决方案。


Finwave 的联合创始人 Tomas Palacios 教授和 Bin Lu 博士首先在麻省理工学院合作发明了该公司的几项基础技术,包括一种基于 FinFET 架构的新型 GaN 晶体管。从麻省理工学院分拆出来后,该公司花了几年时间进一步开发该技术,以在标准硅 CMOS 晶圆厂中进行制造。到 2020 年,Finwave 展示了第一款使用 8 英寸硅 CMOS 工具制造的 GaN 绝缘栅 FinFET。


“随着 GaN 继续从硅中获得市场份额,首先是 4G 大功率宏基站,然后是手机和笔记本电脑的快速充电器,我们相信 GaN-on-Si 的下一个最大机会将是 5G 基础设施和手机应用,”卢说。


据说 Finwave 的 3D GaN 技术可显着提高 5G 毫米波系统的线性度、输出功率和效率,同时大大降低运营商的成本。通过利用大批量 8 英寸 Si CMOS,Finwave 的设备受益于硅技术的成本模型和可扩展性。“GaN FinFET 结构的出色静电控制和线性度、硅的成本模型以及最先进的 8” 以及未来 12 英寸晶圆厂的扩展能力相结合,使得 3D GaN一个真正的游戏规则改变者,”Palacios认为。


该公司执行董事长兼首席战略官 Jim Cable 博士表示:“5G 将成为经济增长的巨大引擎,对于一家为市场带来颠覆性、使能技术的公司工作来说,这是一个非常激动人心的时刻。” “我期待继续构建我们的 IP 组合以及我们的产品和客户群。”


除了 5G,Finwave 还计划将其技术应用于人工智能 (AI)、云计算、电动汽车 (EV) 和自动驾驶汽车 (AV)。

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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