美光推出232层3D NAND Flash

半导体行业观察 · 半导体行业观察·2022-05-14 11:02

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来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)综合自网络 谢谢。


近日,存储芯片大厂美光(Micron)推出业界首个232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体,计划用于各种产品包括固态硬盘,2022 年底左右开始量产。


232 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体采用3DTLC 架构,原始容量为1Tb(128GB)。记忆体基于美光CuA 架构,并使用NAND 字符串堆叠技术,彼此顶部建立两个3D NAND 阵列。CuA 设计的232层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体大大减少美光1Tb3D TLC NAND Flash 尺寸,有望降低生产成本订出更有竞争力的定价,或增加利润。

美光并没有宣布新 232 层堆栈的 3D NAND Flash快闪存储器的 I/O 速度或平面数量,但暗示与现有 3DNAND Flash 快闪存储器设备相比,新存储器提供更高性能,对采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特别有用。美光还强调 232 层堆栈 3D NAND Flash 快闪存储器比上一代产品更节省功耗,更具节能优势。

该公司围绕业内领先的托管型 NAND 存储、以及数据中心 / 客户端 SSD 产品所需的技术进行了优化研发,且内外部控制器组合一直是其垂直产品集成的一个重要组成部分。


美光称,与上一代工艺节点相比,新一代 232 层 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光长期专注于移动应用,并与下游设备制造商保持着良好的合作伙伴关系。
最后,鉴于美光计划在 2022 下半年开启 232 层 3D TLC NAND 的生产,预计各类终端产品(比如 SSD)也会在 2023 年陆续上市。

美光推行芯片远期定价协议,10名客户已签约


美光科技12日宣布为旗下芯片推行名为“远期定价协议”的新机制,希望能解决让半导体产业多年来苦恼的价格波动问题,目前已有 10 名大客户签约,协议为期至少三年,估计一年可带来超过 5 亿美元收入。

美光商务长 Sumit Sadana 在旧金山举办的投资者日上宣布此消息,但强调现阶段仍是“试验”性质,并且拒绝透露可能有多少现有的长期合约客户转移到新机制。

Sadana 说,长约客户以采购量而非价格为基准,但远期价格协议把规模和价格都考虑进去了。针对合约是否可能强制执行的问题,他坦言,议约两方总是对价格有不同看法。

他并表示,美光不打算用降低毛利率的方式推动远期定价协议。“过程中难免有起伏,但最终带来的好处,将超越达成此协议所面临的风险。”

针对营运展望,美光预估长期营收将交出偏高的个位数增幅。DRAM 和 NAND 存储器芯片在未来几年都将有强劲的成长,主要由汽车、数据中心、工业终端市场日益增加的需求带动,这将降低美光对个人计算机 (PC) 和智能手机业务的依赖。

美光执行长 Sanjay Mehrotra 表示,接下来到2025 年之间,DRAM 业务的年成长率预估介于 14% 至19%,NAND 的年成长率更将超过 20%。

Mehrotra 预估,整体存储器产业的规模将能在 2030 年之前达到 3300 亿美元,较 2021 年的1610 亿美元成长逾一倍。存储器芯片占芯片业比重,已经从本世纪初的 10% 上升到 30%。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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