三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产-PR-Newswire

三星电子 · 美通社·2021-10-12 00:00

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韩国首尔2021年10月12日 // -- 今日,三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

三星首款14纳米DRAM 三星首款14纳米DRAM

三星首款14纳米DRAM 三星首款14纳米DRAM

“通过开拓关键的图案(key patterning)技术,三星活跃全球DRAM市场近三十年。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示,“如今,三星正通过多层EUV技术,树立了一座新的技术里程碑,实现了更加微型化的14纳米工艺,而这也是传统氟化氩(ArF)工艺无法做到的。在此基础上,三星将继续提供极具差异化的内存解决方案,充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围,EUV技术变得越来越重要,因为它能提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%。此外,与上一代DRAM工艺相比,14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。

根据最新DDR5标准,三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外,三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

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三星电子 · 美通社·2021-10-12 00:00

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