抢夺SiC晶圆,罗姆与昭和电工签订多年合约

半导体行业观察 · 半导体行业观察·2021-09-14 09:42

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据日媒报道,昭和电工株式会社于2021年9月13日宣布,与ROHM签订了功率半导体用SiC(碳化硅)外延片的多年长期供应合同。报道指出,本次签订的合同是向制造SiC功率半导体的ROHM供应昭和电工制造的SiC外延片。

此外,昭和电工表示,双方将进一步加强技术合作,以提高SiC外延片的特性均匀性和低缺陷密度”)。

昭和电工表示,“作为全球最大的碳化硅外延片制造商,我们以‘一流’为座右铭,为快速扩张的市场提供高性能和高可靠性的产品,并减少产生的功率损耗和热量。”推广节能型碳化硅功率半导体。”

昭和电工斥巨资扩产SiC


今年八月,昭和电工宣布,将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金,其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

昭和电工指出,藉由公募增资、第三者配额增资,以及视需求动向将实施超额配售(Over allotment),预估最高将发行3,519万股新股、约相当于现行已发行股数的2成比重,最高将筹得1,093亿日圆资金。

在上述1,093亿日圆资金中、约700亿日圆将用于增产半导体材料。就细项来看,昭和电工计划投资58亿日圆增产使用于功率半导体的SiC晶圆以及锂离子电池材料、增产工程预计于2023年12月完工;投资59亿日圆增产电子材料用高纯度气体、预计2023年12月完工;投资232亿日圆提高研磨液(CMP Slurry)产能及改善质量、预估2023年12月完工;投资248亿日圆增产使用于印刷电路板(PCB)的铜箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜,预计2024年3月完工。

日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)6月10日公布调查报告指出,自2021年以后,在汽车/电子设备需求加持下,预估碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等次世代功率半导体市场将以每年近20%的速度呈现增长,2030年市场规模预估为2,490亿日圆、将较2020年跳增3.8倍(成长约380%)。

其中,因汽车/电子设备需求加持,来自中国、北美、欧洲的需求扬升,预估2030年SiC功率半导体市场规模将扩大至1,859亿日圆、将较2020年跳增2.8倍;GaN功率半导体市场规模预估将扩大至166亿日圆、将较2020年飙增6.5倍;氧化镓功率半导体市场规模预估为465亿日圆。

罗姆将车用SiC产能扩大五倍


据日经在年初的报道,日本各家电子零件厂加快对EV相关零件进行增产投资,其中Rohm计划在今后5年内投资600亿日圆、将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。

报导指出,Rohm在碳化硅(SiC)功率半导体的研发上居领先,于全球SiC功率半导体市场握有2成市占率,和英飞凌( Infineon )、STMicroelectronics并列为全球主要供应商之一,而其产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆变器(inverter)上。

早在几年前,罗姆就规划将在旗下生产子公司「ROHM Apollo」的筑后工厂(福冈县)内兴建新厂房,预计于2019年2月动工、2020年12月完工。按照罗姆于SiC电源控制芯片事业策略说明会上表示,公司将投资约200亿日圆,于2020年倍增SiC电源控制芯片产能,而罗姆也考虑于宫崎县进行增产投资,在2025年3月底前累计将投资600亿日圆,届时将SiC电源控制芯片产能大幅扩增至2016年度16倍。

而在早前,ROHM最近举行了开幕式,宣布将于2019年2月开始在ROHM Apollo的Chikugo工厂完成新建筑的竣工,以增强SiC功率器件的生产能力。

新大楼是一家最先进的环保工厂,其生产设施采用了许多节能技术,其中100%的电力来自可再生能源。

此外,我们通过引入各种灾难对策来增强BCM(业务连续性管理)系统。从2021年1月起,我们将开始安装生产设备并构建能够满足SiC功率器件中长期增长需求的制造系统。

据报道,自2010年以来,ROHM一直在大量生产包括SiC SBD和MOSFET在内的SiC功率器件,该公司在技术开发方面继续保持行业领先地位,例如推出了业界首款全SiC功率模块和SiC沟槽MOSFET。同时,罗姆拥有一个集成的生产系统,致力于通过增加硅片直径和利用最新设备来提高生产效率,同时还减少了制造对环境的影响。

除了这栋新建筑外,罗姆集团旗下生产SiC硅片的SiCrystal GmbH计划从下一个财年开始使用100%可再生能源运营,从而将工厂购买的电力所产生的CO 2排放量降至零。结果,所有主要的SiC芯片生产工艺都将使用环保的可再生能源。

除了罗姆外,其他日本厂商也都在投入到电动汽车产业中。

据了解,富士电机( Fuji Electric )将投资约1,200亿日圆扩增日本国内外工厂产能、增产功率半导体;东芝( Toshiba )计划在2023年度结束前投资约800亿日圆、将功率半导体产能提高3成;日本电产( Nidec )将砸下2,000亿日圆在欧洲兴建EV用驱动马达新工厂。TDK将在三年内投资超过5,200亿日元,以增加蓄电池和其他产品的产量。

日厂增产EV相关零件,主要是因为全球各国推出减碳政策、推升EV需求。根据波士顿顾问集团(Boston Consulting Group;BCG)的试算,2025年EV等电动化车款占全球新车销售量比重有望自2020年的10%扬升至31%水准。

日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)2020年6月5日公布调查报告指出,2030年全球功率半导体市场规模预估将扩增至4兆2,652亿日圆、将较2019年(2兆9,141亿日圆)大增46.4%。

其中,2030年碳化硅(SiC)制功率半导体全球市场规模预估将扩增至2,009亿日圆、将达2019年(436亿日圆)的4.6倍;氮化镓( GaN )产品市场规模预估为232亿日圆、将达2019年(19亿日圆)的12.2倍。

延伸阅读:英飞凌与日本昭和电工签约2年供货合约


今年五月,英飞凌科宣布与日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约,供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料 (SiC)。英飞凌因此可获得更多基材,以满足对 SiC 型产品日益渐增的需求。

英飞凌与昭和电工之间签订2年期的合约,且可续约。英飞凌拥有业界最大用于工业应用的 SiC 半导体产品组合。

碳化硅(SiC )可提供高效率与强固的功率半导体,特别专注于光电、工业电源供应器和电动车充电基础设备等领域,应用范围广泛,商机可期。

英飞凌 表示,英飞凌提供多样化且快速扩展的产品组合,持续深耕SiC 半导体市场,成为市场的领导者,该市场预计在未来5年内的年增长率可达 30~40%。

英飞凌强调,与昭和电工合作将扩大晶圆供应商基础,也是在这个持续成长市场中多源策略重要的一步,将稳固地支援达成中长期的目标。此外,也计划在策略开发材料方面与昭和电工合作,以提升质量并降低成本。

昭和电工表示,很自豪能够为英飞凌提供同级最佳的 SiC 材料以及最先进的磊晶技术,公司目标是持续改进 SiC 材料的质量并开发新一代技术,也非常重视英飞凌是出色的合作伙伴,对于未来双方的合作发展正面以待。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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