晶体管性能的检测

elecfans · 电子工程世界·2021-04-30 00:00

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1.反向击穿电流的检测

普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R×1k档, NPN型管的集电极C接黑表笔,发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。

正常时,锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R×100档测,电阻值大于2kΩ),锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ(用 R×10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测),实测值一般为500kΩ以上。

若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小,则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0,则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多,则说明该管的热稳定性不良。

也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时,先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档,选择晶体管的极性,将被测晶体管的三个引脚插个测试孔,然后按下ICEO键,从表中读出反向击穿电流值即可。

2.放大能力的检测

晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时,应先将万用表置于ADJ档进行调零后,再拨至hFE档,将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中(采用TO-3封装的大功率晶体管,可将其3个电极接出3根引线后,再分别与三个插孔相接),万用表即会指示出该管的放大倍数。

若万用表无hFE档,则也可使用万用表的R×1k档来估测晶体管放大能力。测量PNP管时,应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E,红表笔接晶体管的集电极C,再在晶体管的集电结(B、C极之间)上并接1只电阻(硅管为100kΩ锗管为20 kΩ),然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大,则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小,则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。

测量NPN管时,应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C,红表笔接晶体管的发射极E,在集电结上并接1只电阻,然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大,说明晶体管的放大能力越强。

也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。测量时,先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档,选择晶体管的极性,将晶体管插入测试孔后,按动相应的hFE键,再从表中读出hFE值即可。

3.反向击穿电压的检测

晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V(BR)测试功能来测量。测量时,先选择被测晶体管的极性,然后将晶体管插入测试孔,按动相应的V(BR)键,再从表中读出反向击穿电压值。

对于反向击穿电压低于50V的晶体管,也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连(PNP 管的E极接A点,C极接B点;NPN管的E有接B点,C极接A点)后,调节电源电压,当发光二极管LED点亮时,A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。

关键字: 晶体管 性能 检测 万用表 编辑:什么鱼 引用地址: http://news.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/ic534441.html

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