英飞凌推出全新650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管,进一

电子发烧友·2021-02-23 12:31

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【2021年2月23日,德国慕尼黑讯】 英飞凌 科技股份公司(FSE: IF X/OTCQX:IFNNY)推出650V关断电压的CoolSiC™Hybrid IGBT 单管。新款CoolSiC™HybridIGBT结合了650VTRENCHSTOP™5IGBT及CoolSiC™肖特基势垒 二极管 的主要优点,具有出色的 开关 频率和更低的开关损耗,特别适用于DC-DC和功率因数校正( PFC )。其常见应用包括: 电池 充电基础设施、储能系统、光伏 逆变器 、不间断电源(UPS),以及服务器和电信 开关电源 (SMPS)。

由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管,在dv/dt和di/dt值几乎不变下,CoolSiC™HybridIGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比,新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低 物料 成本。该HybridIGBT可直接替代TRENCHSTOP™5IGBT,无需重新设计,便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率。

此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiC MOSFET 设计之间的衔接,与全Si设计相比,HybridIGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性,使二极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的KelvinE mi t te r封装供客户选择。KelvinEmitter封装的第四引脚可实现超低 电感 的栅极发射极控制回路,并降低总开关损耗。

供货情况

CoolSiC™HybridIGBT单管延续之前采用IGBT与CoolSiC™肖特基势垒二极管的CoolSiC™HybridIGBTEasyPACK™1B和2B模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半 电流 CoolSiC™第6代SiC二极管的40A、50A和75A650VTRENCHSTOP™5超高速H5IGBT,或反并联全电流CoolSiC™第6代SiC二极管的快速S5IGBT。

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