为追赶台积电跳过4nm工艺,传三星电子修改芯片工艺路线图

爱集微 · 电子工程世界·2020-07-03 00:00

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据DigiTimes报道,与其竞争对手台积电在工艺路线上的计划不同,三星电子将跳过4nm工艺,直接由5nm跃升至3nm。台积电计划其4纳米N4工艺有望在2023年完成。据报道,台积电还为其3nm芯片生产设施获得了200亿美元的投资,并计划2021年风险试产,2022年上半年大规模量产。

曾为苹果代工A系列芯片的三星电子,近几年在芯片工艺方面虽然不及台积电,获得的芯片代工订单也不及台积电,但仍是唯一能在工艺上跟上台积电节奏的厂商。台积电在芯片工艺方面近几年一直走在行业前列,7nm和5nm工艺都是率先投产,良品率也相当可观。

目前台积电和三星电子的芯片工艺都已经到了5nm,其中台积电的5nm工艺是已大规模量产;此前传三星电子投资了81亿美元建设一条的新5nm芯片工艺生产线。


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