Qorvo 荀颖:氮化镓是实现5G的关键技术【SEMICON China 2020特别报道】

蒋思莹 · ·2020-06-28 18:56

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Semicon China 2020同期功率及化合物半导体国际论坛2020于今日在上海召开,Qorvo FAE经理荀颖以《实现5G的关键技术——GaN》为主题发表了演讲。

从5G的技术演进技术来看,市场对基站的频率、带宽以及效率的需求均有所增加,在这种市场需求的驱动之下,氮化镓就充当了重要的角色。对于运营商来说,如何在5G基站的成本,可靠性,性能等方面找到一个最优方案,也成为他们着重考虑的问题。在传统材料的局限开始凸显的时候,氮化镓就开始走到了前台。

根据关数据显示,把GaN器件应用到毫米波5G基站,可以减少40%的功率损耗、降低94%的die空间,在成本方面也会带来80%节省。而这也是Qorvo所擅长的。

荀颖表示,Qorvo 5G氮化镓的优势在于它不仅可以满足市场对频率、带宽以及效率的需求,还能保障器件的使用寿命。荀颖表示:“目前随着氮化镓技术市场应用的推广,其成本已经非常适合商业化发展。”

据此前的报道显示,在Qorvo已经在很多领域当中,开始布局5G 氮化镓的应用。据悉,在IDP方面,为满足5G高频率需求,Qorvo协助基站制造商在向氮化镓(GaN)功率放大器转变,积极部署宏基站和大规模MIMO网络,助推全球5G基础设施部署。有机构预计未来功率放大器的大半市场将转向氮化镓(GaN),并且这一趋势也会加速推进。

据荀颖介绍,从工艺的角度来看,目前,Qorvo 可以提供从90纳米到0.56米的氮化镓团队。以高电压低频率范围举例,Qorvo的0.25µm高压技术(即QGaN25HV)开始发挥作用。QGaN25HV使我们能够通过0.25µm器件升高至48V,实现高增益和功率效率。QGaN25HV非常适合迈向6GHz的5G基站。

除了氮化镓之外,Qorvo在发射端也有砷化镓产品,而接收端则包括了砷化镓和SOI及BAW的特色工艺技术。

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蒋思莹 · ·2020-06-28 18:56

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