中国半导体自给率明年有望达 40%,2025 年将提升至七成

互联网·2019-10-09 10:36

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10月8日讯,据媒体报道,中国目前使用的半导体仅16%在中国生产,当中只有一半由中国企业制造,比例相当低。按政府计划,中国希望2020年生产40%自用半导体,2025年提高至70%,务求尽快摆脱美国制肘。

大部份中国芯片股自贸易战开打以来,虽录不同程度跌幅,但从上述角度考虑,行业长远受惠国策支持。其中,有约两成收入来自华为的中芯国际,自中美爆贸战以来一度下跌37%,但今年首九个月累升43%,已收复大部份贸易战后导至的失地。

中国半导体自给率明年有望达 40%,2025 年将提升至七成

技术突破,几乎成了近年来经济发展的主旋律。无论是5G技术、量子技术、半导体技术,还是IoT物联网、金融科技创新……一大批尖端技术的突破,既为经济发展注入新的活力,也成为刺激资本市场上科技板块股票上涨的重要因素。

恰如近段时间以来,由于“在先进制程的研发快于预期构成利好”,中芯国际(00981-HK)未来预期收入有望实现快速增长。而受此影响,中芯国际股价同样呈现出持续上涨的态势,并创下自2018年6月份以来的新高。

不仅如此,随着未来的5G、智能手机、物联网终端技术等领域的快速发展,相关行业对于高端芯片的需求量将会持续增加。提升国产芯片的自给率,其意义不言而喻。

事实上,在14nm逐渐步入量产,并着手推进扩大产能的同时,2019年二季度的企业财报中同时透露:第一代FinFET技术进入风险量产,第二代FinFET N+1技术平台也已经开始进入客户导入,中芯国际将与客户保持长远稳健的合作关系。

持续引进人才,技术创新,国产7nm芯片或为期不远

而在此前,在中芯国际2019年一季度财报信息披露中,梁孟松博士就曾经披露12nm已经进入客户导入阶段,并表示更新一代FinFET工艺研发进度喜人,相关研发进程非常顺利。

在12nm制程工艺后的新一代FinFET工艺研发?究竟是10nm,还是更高级别,当下国际顶尖的7nm芯片先进制程工艺?从研发进度来看,中芯国际越过20nm等级,直接由28nm过渡到14nm,也不能排除从12nm直接跃进到7nm的可能。

而另一件事情似乎可以佐证这种由12nm直接跃进到7nm的猜想。根据中国产业经济信息网披露,2018年年中,中芯国际耗资1.2亿美元,向荷兰ASML公司订购了亿台EUV极紫外光刻机,而这种设备通常用来7nm级别先进制程工艺的研发使用。

其实,无论新一代FinFET工艺研发级别是10nm,还是7nm,都是国内芯片代工生产技术的突破,而翘首期盼的国产7nm越来越近,或已是为期不远。

自2000年中芯国际成立,到现如今14nm制程工艺的量产化,12nm制程工艺进入到客户导入阶段,不到20年的时间,中芯国际从0到1,又不断提升技术水平,可谓成绩斐然。

值得注意的是,中芯国际14nm工艺的研发成功与企业近年来持续引进人才密切相关。

2017年,有着丰富芯片制程工艺研发经验的梁孟松加入中芯国际;2018年8月9日,梁孟松研发团队宣布14nm工艺取得重大突破。这距离梁孟松加入中心国际也不过是298天,换言之,不到300天的时间,中芯国际技术工艺完成了代差性的跨越。

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