SK海力士公布新产品规划:2030年推800+层堆叠NAND Flash,届时SSD可达200TB

TechNews科技新报 · 全球半导体观察·2019-08-13 16:52

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目前,两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中,三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash,SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。

不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划,预计在2030年推出800+层的NAND Flash,届时将可轻松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前举行的“Flash Memory Summit”大会上,SK海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出,目前SK海力士正在开发128层堆叠的4D NAND Flash,其量产时间将落在2019年第4季。

另外,SK海力士还展示了一款“PE8030”的全新SSD,采用PCIe 4.0×4介面连接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量,连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s,而4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发发展方面,目前SK海力士正在研发176层NAND Flash,而其他产品的发展,包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中,96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中,而且未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。

128层堆叠的4D NAND Flash将于2019年第4季量产,176层堆叠产品2020年问世、500层堆叠产品则将于2025年问世,其TB/wafer容量比将可提升30%。而800+堆叠的4D NAND Flash则是预计2030年问世,TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

据了解,目前SK海力士生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit,176层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit,预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit,到800层堆叠时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。

若以当前SSD固态硬盘的容量计算,目前最大容量约在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成长幅度来计算,未来SSD容量可达200TB左右,这个容量要比当前的HDD还要更大。

图片声明:封面图片来源于正版图片库,拍信网。

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