SK 海力士将推800+ 层堆叠NAND Flash

半导体行业观察 · 半导体行业观察·2019-08-13 09:26

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目前,两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。 其中,三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外,SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划,预计在2030 年推出800+ 层的NAND Flash,届时将可轻松打造出100 到200TB 容量的SSD。

在日前举行的「 Flash Memory Summit 」 大会上,SK 海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。 根据内容指出,目前SK 海力士正在开发128 层堆叠的4D NAND Flash,其量产时间将落在2019 年第4 季。 另外, SK 海力士还展示了一款「PE8030」的全新SSD,采用PCIe 4.0×4 介面连接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量,连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s ,而4KB 随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发发展方面,目前SK 海力士正在研发176 层NAND Flash, 而其他产品的发展,包括72 层堆叠的4D NAND Flash 目前大规模量产中,96 层堆叠的4D NAND Flash 目前也在大规模量产中,而且未来产能即将超越72 层堆叠的4D NAND Flash。 128 层堆叠的4D NAND Flash 将于2019 年第4 季量产,176 层堆叠产品2020 年问世、500 层堆叠产品则将于2025 年问世,其TB/wafer 容量比将可提升30%。 而800+ 堆叠的4D NAND Flash 则是预计2030 年问世,TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

据了解,目前SK 海力士生产的128 层堆叠NAND Flash 核心容量是1Tbit,176 层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit,预计500 层堆叠时核心容量可达3.9Tbit,到800 层堆叠时则会高达6.25Tbit,是现在的6 倍多。 而若以当前SSD 固态硬碟的容量计算,目前最大容量约在15 到16TB 左右。 而依照6 倍核心容量的成长幅度来计算,未来SSD 容量可达200TB 左右,这个容量要比当前的HDD 还要更大。

半导体行业观察 · 半导体行业观察·2019-08-13 09:26

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