长江存储将推出Xtacking2.0闪存技术 与DRAMDDR4的I

电子发烧友·2019-05-16 16:00

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目前NAND闪存主要掌握在 三星 、 东芝 、美光、西数等公司中,国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存,小批量量产了32层堆栈的3D闪存,但对市场影响有限,今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存,产能将会积极扩张。

长江存储将推出Xtacking2.0闪存技术 与DRAMDDR4的I/O速度相当

来自集邦咨询半导体研究中心( dram eXchange)的消息称,预计长江存储到年底扩张达至少60K/m的投片量,与其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大,但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击,进而导致跌价趋势持续。

在技术方面,为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展,32层堆栈的只是小量生产,64层堆栈是今明两年生产的主力,再下一代则会直接进入128层堆栈,跳过了三星、美光、东芝、 INTEL 等公司现在力推的96层堆栈闪存,这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

在这个问题上,去年长江存储推出了Xtacking结构的3D NAND闪存技术,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。

长江存储将推出Xtacking2.0闪存技术 与DRAMDDR4的I/O速度相当

采用Xtacking,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围 电路 。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属 via (Ver ti cal In te rconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

性能上,长江存储表示“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与D Ram DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

日前在GSA Memory+会议上,长江存储联席CTO汤强发表了《三维闪存技术发展的展望》演讲,表示长江存储今年8月份将会推出Xtacking 2.0闪存技术,Xtacking依然会不断进化中

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