三星2021年量产3纳米制程、进度超越台积电与英特尔

郭妍希 · MoneyDJ新闻·2019-05-15 18:32

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三星电子(Samsung Electronics Co.)周二(5月14日)宣布,将在2021年推出3奈米制程技术,进度超越台积电(2330)与英特尔(Intel Corp.)。

根据新闻稿 ,三星晶圆制造部总裁ES Jung (见图) 14日在加州Santa Clara市举办的晶圆制造论坛(Samsung Foundry Forum)上表示,3奈米的闸极全环(gate all around,简称GAA)制程技术将在2021年问世,不但运算效能较7奈米提升35%、还可节省50%电力,晶片面积则缩小45%。

三星表示,3奈米GAA制程技术(3GAE)的研发完全依照进度,PDK (Process Design Kit) 0.1版已在4月释出,可协助顾客提前展开设计作业,以便提升设计竞争力、降低备货时间。

另一方面,三星预定今(2019)年下半年量产6奈米制程装置,同时完成4奈米制程的研发作业。5奈米FinFET制程的产品设计已在4月开始研发,预计今年下半年完成、2020年上半年量产。

CNET 14日报导,顾问机构International Business Strategies执行长Handel Jones说,三星的GAA技术领先台积电约12个月,英特尔则大概落后三星2~3年。

三星晶圆制造事业行销副总裁Ryan Lee 14日表示,GAA代表三星的晶圆制造进入全新纪元。他说,第一款3奈米制程晶片,是为智慧型手机等行动装置设计,预计2020年开始测试、2021年量产。更加精细的高效能晶片,例如绘图处理器、打包进资料中心的人工智慧(AI)晶片等,则会在2020年量产。

Lee并表示,GAA可让三星把电路微缩至3奈米,加以改进后、甚至可把制程技术进化至2奈米与1奈米。

*编者按:本文仅供参考之用,并不构成要约、招揽或邀请、诱使、任何不论种类或形式之申述或订立任何建议及推荐,读者务请运用个人独立思考能力,自行作出投资决定,如因相关建议招致损失,概与《精实财经媒体》、编者及作者无涉。

郭妍希 · MoneyDJ新闻·2019-05-15 18:32

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