突破MRAM技术瓶颈,台湾地区团队成果全球首创

摩尔芯闻·2019-03-14 19:14

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台湾地区清华大学团队以电子自旋流操控磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性,突破瓶颈,成果全球首创,并预计4年后要做出下世代MRAM,盼为国内产业带来关键影响。

台湾地区“科技部”今天举行「不失忆的存储器—全球首例自旋流解密MRAM关键瓶颈」研究成果发表记者会,由国立清华大学材料系教授赖志煌与物理系教授林秀豪组成的研究团队,成功以电子自旋流操控磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性,也创下全球首例。这项成果在今年2月刊登在国际顶尖期刊「自然材料」。

赖志煌指出,全球大厂均投入研发MRAM,因为MRAM兼具处理与储存信息的功能,且断电时,信息不会遗失,电源开启可实时运作,耗能低、读写速度快特性。他进一步指出,谁能掌握电子自旋、磁性存储器关键技术,就能掌握未来存储器及半导体产业动脉。

不过,赖志煌表示,MRAM过去遭遇技术瓶颈,因为在改变磁性时,必须先将元件加热,然后以外加磁场来改变磁性,再降温。他举例,「你会先把手机拿去加热后,等它降温吗?」,因为这项特性让MRAM不具实用性。

而清华大学团队突破MRAM研发的痛点,林秀豪表示,利用电子本身的自旋流,在MRAM三明治结构里被钉锁住的铁磁层加上一层奈米级白金,两者就像保龄球中会旋转的飞碟球与粗糙跑道,在交互作用下成功改变磁性。这项突破让MRAM可以自由改变磁性,不需要加热,可以避免元件受到热伤害。

清大团队表示,根据“科技部”的射月计划时程,预计在4年后要做出下世代MRAM,期盼成国内存储器、半导体产业的一大助力,带来关键影响。

摩尔芯闻·2019-03-14 19:14

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