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    张凌云 —— 亚太区Calibre产品技术主管  

     

    2006年加入Mentor,负责Calibre产品的技术支持和应用推广。在从事物理验证的十多年中,他伴随着广大客户从130nm/90nm工艺的芯片研发推进到目前的5nm芯片设计,为他们的成功流片提供技术支持和服务,在集成电路设计/仿真、版图物理验证、寄生参数提取、芯片可靠性检查及芯片可制造性设计方面积累了丰富的经验。在加入Mentor之前,他曾专注于混合信号设计工作四年,熟悉模拟电路设计、数/模电路接口设计,版图设计及验证的全部流程。

     

    随着工艺的进步,芯片的尺寸也越做越大,版图数据的多源化以及层次化都日益复杂。有效率地整合版图数据,对整合后的版图数据进行快速地查看和分析对芯片级物理验证都十分重要。 最后, 版图的寄生参数提取及后仿真一直都是检验版图设计质量的必要和重要手段,而在先进工艺下,单凭以往的经验和代工厂的PDK已不能完全满足需求,必需对众多参数提取方案有充分的了解,并能够根据芯片的分析要求进行方案优化。最新的Calibre寄生参数提取方案已集成快速三维电磁场解算器,可以为数字电路版图,模拟电路版图以及射频电路版图提供快速精准的寄生电容及电阻计算提取,同时提供多种优化方案以满足各种芯片电路的仿真需求。

     

     针对芯片物理验证过程中遇到的各种需求,本次课程主要介绍:

     

    1) 如何快速地查看tape-out版图数据的真实物理面貌; 

    2) 如何查看版图数据的层次化结构以及从中查找相关模块的物理信息; 

    3) 如何用Calibre 进行寄生电容/电阻/电感的提取; 

    4) 如何产生各种标准格式的网表文件,以及如何运用缩减技术进行网表文件优化; 

    5) 如何处理金属填充对寄生电容的影响; 

    6) 根据芯片设计要求,如何定制个性化提取流程。

     

     

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